1. Littérature générale
  2. Essais littéraires

EAN13
9783838181066
Éditeur
Univ Européenne
Date de publication
17 juin 2012
Collection
OMN.UNIV.EUROP.
Nombre de pages
176
Dimensions
22 x 15 cm
Poids
268 g
Langue
fre

Comportement Des Diodes Lors D'Évènements Transitoires Rapides, Outils De Caractérisation Et Physique Du Semi-Conducteur

Jean-Robert Manouvrier

Univ Européenne

Prix public : 59,00 €

Les travaux développés dans cette thèse concernent l'étude, la caractérisation et la modélisation du comportement des diodes lors d'évènements transitoires rapides de type ESD. Dans un premier temps, un nouveau banc de mesure capable de fournir rapidement des résultats sur le comportement des structures de protections ESD lors d'un événement transitoire très rapide a été développé : le VF-TCS - Very Fast Transient Characterization System. Ce système permet d'étudier le comportement transitoire, dans des gammes de temps propres au CDM, des structures de protection que sont la diode, le GGNMOS, la protection centrale et le thyristor. Dans un deuxième temps, un nouveau modèle compact de diode capable de retranscrire avec précision son comportement lors d'un événement transitoire très rapide a été développé. Les concepteurs ont désormais des résultats de simulations fiables mettant en exergue les faiblesses potentielles de leurs stratégies de protection, notamment en ce qui concerne les surtensions éventuelles pouvant constituer un danger pour le circuit à protéger.
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